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参数资料
| 型号： | SI8405DB-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8405DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.14
0.12
2000
0.10
1600
C iss
0.08
0.06
0.04
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
1200
800
C oss
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
400
0
C rss
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
12
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 6 V
I D = 1 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.30
0.24
0.18
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 1 A
1
0.12
T J = 25 °C
0.06
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 71814
S13-1847-Rev. F, 19-Aug-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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