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参数资料
| 型号： | SI8405DB-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8405DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.4
0.3
I D = 250 μA
80
60
0.2
0.1
40
0.0
20
- 0.1
- 0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 72 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 71814
S13-1847-Rev. F, 19-Aug-13
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8417DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI-8405L | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil |
| SI-8405NH | 制造商:ALLEGRO 制造商全称:Allegro MicroSystems 功能描述:Surface-Mount, Synchronous Rectifier Step-down Switching Mode Regulator Control ICs |
| SI-8405NL | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Surface-Mount Synchronous Rectifier Step-down Switching Mode Regulator Control ICs |
| SI8406DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI8406DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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