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参数资料
| 型号： | V58C2128804SBT5B |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 54/62页 |
| 文件大小： | 977K |
| 代理商： | V58C2128804SBT5B |
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58
V58C2128(804/404/164)SB Rev. 1.1 March 2004
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB
Figure 46 - WRITE - WITH AUTO PRECHARGE
CK
/CK
COMMAND
NOP
WRITE
CKE
Col
n
RA
A10
BA0, BA1
Bank
x
BA
DON'T CARE
DI
n = Data In for column n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI
n
EN AP = Enable Autoprecharge
ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address
NOP commands are shown for ease of illustration; other valid commands may be possible at these times
NOP
VALID
ACT
NOP
EN AP
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tDAL
RA
VALID
tIH
x4:A0-A9
x8:A0-A8
x16:A0-A7
x4:A11
x8:A9, A11
x16:A8, A9, A11
DQ
DM
DQS
DI
n
t
tDQSS
t
Case 1:
tDQSS = min
Case 2:
tDQSS = max
DQ
DM
DQS
DI
n
t
tDQSS
t
WPST
DQSH
DQSL
tWPRES
WPST
DQSH
DQSL
WPRE
WPRES
tWPRE
tDSS
tDSH
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