参数资料
| 型号： | W25Q16BVSSIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 43/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 16MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q16BV
11.2.24 Erase Resume (7Ah)
The Erase Resume instruction “7Ah” must be written to resume the Sector or Block Erase operation after
an Erase Suspend. The Resume instruction “7Ah” will be accepted by the device only if the SUS bit in the
Status Register equals to 1 and the BUSY bit equals to 0. After issued the SUS bit will be cleared from 1
to 0 immediately, the BUSY bit will be set from 0 to 1 within 200ns and the Sector or Block will complete
the erase operation. If the SUS bit equals to 0 or the BUSY bit equals to 1, the Resume instruction “7Ah”
will be ignored by the device. The Erase Resume instruction sequence is shown in figure 23.
Resume instruction is ignored if the previous Erase Suspend operation was interrupted by unexpected
power off. It is also required that a subsequent Erase Suspend instruction not to be issued within a
minimum of time of “t SUS ” following a previous Resume instruction.
Figure 23. Erase Resume Instruction Sequence Diagram
Publication Release Date: July 08, 2010
- 43 -
Revision F
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参数描述 |
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