参数资料
| 型号： | W25Q16BVSSIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 55/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 16MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q16BV
12.4 DC Electrical Characteristics
PARAMETER
Input Capacitance
Output Capacitance
SYMBOL
C IN(1)
Cout (1)
CONDITIONS
V IN = 0V (1)
0V (1)
V OUT =
MIN
SPEC
TYP
MAX
6
8
UNIT
pF
pF
Input Leakage
I/O Leakage
I LI
I LO
±2
±2
μA
μA
Standby Current
Power-down Current
Current Read Data /
Dual /Quad 1MHz (2)
Current Read Data /
Dual /Quad 33MHz (2)
Current Read Data /
Dual /Quad 50MHz (2)
Current Read Data /
Dual Output Read/Quad
Output Read 80MHz (2)
Current Write Status
Register
Current Page Program
Current Sector/Block
Erase
Current Chip Erase
I CC 1
I CC 2
I CC 3
I CC 3
I CC 3
I CC 3
I CC 4
I CC 5
I CC 6
I CC 7
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
/CS = VCC
/CS = VCC
/CS = VCC
/CS = VCC
25
1
4/5/6
6/7/8
7/8/9
10/11/12
8
20
20
20
50
5
6/8.5/10
9/10.5/12
10/12/13.5
15/16.5/18
12
25
25
25
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Input Low Voltage
Input High Voltage
V IL
V IH
VCC x 0.7
VCC x 0.3
V
V
Output Low Voltage
Output High Voltage
V OL
V OH
I OL = 1.6 mA
I OH = –100 μA
VCC – 0.2
0.4
V
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA=25° C, VCC 3V.
2. Checker Board Pattern.
Publication Release Date: July 08, 2010
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Revision F
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W25Q16BVZPIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16CL | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.5V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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