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参数资料
| 型号： | W9425G6EB-6I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, TFBGA-60 |
| 文件页数： | 18/51页 |
| 文件大小： | 2017K |
| 代理商： | W9425G6EB-6I |
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W9425G6EB
Publication Release Date:Feb. 12, 2009
- 25 -
Revision A02
9.3 Capacitance
(VDD = VDDQ = 2.5V
±0.2V, f = 1 MHz, TA = 25 °C, VOUT (DC) = VDDQ/2, VOUT (Peak to Peak) = 0.2V)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
DELTA
(MAX.)
UNIT
CIN
Input Capacitance (except for CLK pins)
1.5
2.5
0.5
pF
CCLK
Input Capacitance (CLK pins)
1.5
2.5
0.25
pF
CI/O
DQ, DQS, DM Capacitance
3.5
4.5
0.5
pF
Notes: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
9.4 Leakage and Output Buffer Characteristics
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
II (L)
Input Leakage Current
Any input 0V < VIN < VDD, VREF Pin 0V < VIN <
1.35V (All other pins not under test = 0V)
-2
2
A
IO (L)
Output Leakage Current
(Output disabled, 0V < VOUT < VDDQ)
-5
5
A
VOH
Output High Voltage
(under AC test load condition)
VTT +0.76
-
V
VOL
Output Low Voltage
(under AC test load condition)
-
VTT -0.76
V
IOH
Output Levels: Full drive option
High Current
(VOUT = VDDQ - 0.373V, min. VREF, min. VTT
-15
-
mA
4, 6
IOL
Low Current
(VOUT = 0.373V, max. VREF, max. VTT)
15
-
mA
4, 6
IOHR
Output Levels: Reduced drive option - 60%
High Current
(VOUT = VDDQ - 0.763V, min. VREF, min. VTT
-9
-
mA
5
IOLR
Low Current
(VOUT = 0.763V, max. VREF, max. VTT)
9
-
mA
5
IOHR
(30)
Output Levels: Reduced drive option - 30%
High Current
(VOUT = VDDQ – 1.056V, min. VREF, min. VTT
-4.5
-
mA
5
IOLR
(30)
Low Current
(VOUT = 1.056V, max. VREF, max. VTT)
4.5
-
mA
5
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