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参数资料
| 型号： | W981216DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 2/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH / W9812G6DH
- 10 -
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
Input Leakage Current
(0V
≤ VIN ≤ VCC, all other pins not under test = 0V)
II(L)
-5
5
A
Output Leakage Current
(Output disable , 0V
≤ VOUT ≤ VCCQ)
IO(L)
-5
5
A
LVTTL Output ″H″ Level Voltage
(IOUT = -2 mA )
VOH
2.4
-
V
LVTTL Output ″L″ Level Voltage
(IOUT = 2 mA )
VOL
-
0.4
V
Notes:
1. Operation exceeds “ABSOLUTE MAXIMUM RATING” may cause permanent damage to the
devices.
2. All voltages are referenced to VSS
3. These parameters depend on the cycle rate and listed values are measured at a cycle rate with the
minimum values of tCK and tRC.
4. These parameters depend on the output loading conditions. Specified values are obtained with
output open.
5. Power up sequence is further described in the “Functional Description” section.
6. AC Testing Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Output Reference Level
1.4V/1.4V
Output Load
See diagram below
Input Signal Levels
2.4V/0.4V
Transition Time (Rise and Fall) of Input Signal
2 nS
Input Reference Level
1.4V
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