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参数资料
| 型号： | W981216DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 44/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 9 -
Revision A08
10. DC CHARACTERISTICS
(VCC = 3.3V
± 0.3V, Ta = 0 to 70°C for -6/-7/-75/-8H)
PARAMETER
SYM.
-6
-7
-75
-8H
UNIT
NOTES
MAX.
Operating Current
tCK = min., tRC = min.
Active precharge command
cycling without burst
operation
1 bank
operation
ICC1
85
80
75
70
3
Standby Current
tCK = min, CS = VIH
CKE = VIH
ICC2
45
40
35
30
3
VIH/L = VIH(min)/VIL(max.)
Bank: Inactive state
CKE = VIL
(Power Down
mode)
ICC2P
3
Standby Current
CLK = VIL, CS = VIH
CKE = VIH
ICC2S
10
VIH/L = VIH(min)/VIL(max)
BANK: Inactive state
CKE = VIL
(Power down
mode)
ICC2PS
3
mA
No Operating Current
tCK = min., CS = VIH(min)
CKE = VIH
ICC3P
65
60
55
50
BANK: Active state
(4 banks)
CKE = VIL
(Power down
mode)
ICC3P
10
Burst Operating Current
tCK = min.
Read/ Write command cycling
ICC4
105
100
95
90
3, 4
Auto Refresh Current
tCK = min.
Auto refresh command cycling
ICC5
180
170
160
150
3
Self Refresh Current
Self Refresh Mode
CKE = 0.2V
Normal
(-6/-7/-75/-8H)
ICC6
3
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