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参数资料
| 型号： | W981216DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 37/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH / W9812G6DH
- 42 -
Operating Timing Example, continued
14.23 Self Refresh/Power Down Mode Exit Timing
Asynchronous Control
Input Buffer turn on time ( Power down mode exit time ) is specified by tCKS(min) + tCK(min)
Command
NOP
CLK
CKE
Command
A ) tCK < tCKS(min)+tCK(min)
Input Buffer Enable
Command
CLK
CKE
Command
B) tCK >= tCKS(min) + tCK (min)
Input Buffer Enable
Note )
Command
NOP
All Input Buffer(Include CLK Buffer) are turned off in the Power Down mode
and Self Refresh mode
Represents the No-Operation command
Represents one command
tCK
tCKS(min)+tCK(min)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
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