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参数资料
| 型号： | W981216DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 29/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 35 -
Revision A08
Operating Timing Example, continued
14.14 PowerDown Mode
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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19
20
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22
23
(CLK = 100 MHz)
RAa
CAa
RAa
CAx
RAa
ax0
ax1
ax2
ax3
tSB
tCKS
tSB
tCKS
Active Standby
Power Down mode
Precharge Standby
Power Down mode
Active
NOP
Precharge
NOPActive
Note: The PowerDown Mode is entered by asserting CKE "low".
All Input/Output buffers (except CKE buffers) are turned off in the PowerDown mode.
When CKE goes high, command input must be No operation at next CLK rising edge.
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9
A11
A10
BS
WE
CAS
RAS
CS
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