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参数资料
| 型号： | W981216DH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 20/44页 |
| 文件大小： | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 27 -
Revision A08
Operating Timing Example, continued
14.6 Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Autoprecharge)
0
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3
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tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tRRD
RAa
CAx
RBb
CBy
RAb
RAc
ax0
ax1
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by2
by3
by4
by5
by6
by7
CZ0
CZ1
CZ2
CAz
(CLK = 100 MHz)
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
Active
Write
Active
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
Active
Write
AP*
BS0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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