参数资料
型号: W981216DH-75
厂商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类: DRAM
英文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封装: 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件页数: 21/44页
文件大小: 1221K
代理商: W981216DH-75
W981216DH / W9812G6DH
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Operating Timing Example, continued
14.7 Page Mode Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)
0
1
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3
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17
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23
tCCD
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRCD
tRRD
RAa
CAI
RBb
CBx
CAy
CAm
CBz
a0
a1
a2
a3
bx0
bx1
Ay0
Ay1
Ay2
am0
am1
am2
bz0
bz1
bz2
bz3
(CLK = 100 MHz)
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS0
WE
CAS
RAS
CS
BS1
Active
Read
Active
Read
Precharge
tAC
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
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