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参数资料
| 型号： | 256MBDDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.3 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.3 |
| 文件页数： | 40/51页 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | 256MBDDRSDRAM |
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REV. 0.3 November 2. 2000
256Mb DDR SDRAM
16Mx16
Preliminary
< Detailed test conditions for DDR SDRAM IDD1 & IDD7 >
IDD1 : Operating current: One bank operation
1. Typical Case : Vdd = 2.5V, T=25’C
2. Worst Case : Vdd = 2.7V, T= 10’C
3. Only one bank is accessed with tRC(min), Burst Mode, Address and Control inputs on NOP edge are changing once
per clock cycle. lout = 0mA
4. Timing patterns
- PC200(100Mhz, CL=2) : tCK = 10ns, CL2, BL=4, tRCD = 2*tCK, tRAS = 5*tCK
Read : A0 N R0 N N P0 N A0 N - repeat the same timing with random address changing
*50% of data changing at every burst
- PC266B(133Mhz, CL=2.5) : tCK = 7.5ns, CL=2.5, BL=4, tRCD = 3*tCK, tRC = 9*tCK, tRAS = 5*tCK
Read : A0 N N R0 N P0 N N N A0 N - repeat the same timing with random address changing
*50% of data changing at every burst
- PC266A (133Mhz, CL=2) : tCK = 7.5ns, CL=2, BL=4, tRCD = 3*tCK, tRC = 9*tCK, tRAS = 5*tCK
Read : A0 N N R0 N P0 N N N A0 N - repeat the same timing with random address changing
*50% of data changing at every burst
Legend : A=Activate, R=Read, W=Write, P=Precharge, N=NOP
Symbol
K4H561638B-TCA2
(DDR266A)
typical
100
165
25
45
35
40
50
220
190
215
3
1.5
385
K4H561638B-TCB0
(DDR266B)
typical
100
165
25
45
35
40
50
220
190
215
3
1.5
385
K4H561638B-TCA0
(DDR200)
typical
90
155
23
40
30
33
40
185
160
195
3
1.5
345
Unit
Notes
worst
worst
worst
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
110
185
30
50
40
45
55
250
215
235
3
1.5
440
110
185
30
50
40
45
55
250
215
235
3
1.5
440
100
175
25
45
35
35
45
210
180
210
3
1.5
385
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
IDD6
Normal
Low power
IDD7
Optional
Table 13. DDR SDRAM IDD spec Table
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 25AV5-GA | FOR TV HORIZONTAL-DEFLECTION AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 25CV100BE | Surface Mount Type Miniature, Super low profile 3.9mm height |
| 25CV10BE | Surface Mount Type Miniature, Super low profile 3.9mm height |
| 25CV68BE | Surface Mount Type Miniature, Super low profile 3.9mm height |
| 25CV22BE | Surface Mount Type Miniature, Super low profile 3.9mm height |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 256MB-FD | 制造商:PNY Technologies 功能描述:256MB USB, FOR IBM - Bulk |
| 256MB-FLASH | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| 256ME-250K | 制造商:ILLINOISCAPACITOR 制造商全称:Illinois Capacitor, Inc. 功能描述:Metallized Polyester Motor Run/AC Film Capacitors In Boxes |
| 256ME-350K | 制造商:ILLINOISCAPACITOR 制造商全称:Illinois Capacitor, Inc. 功能描述:Metallized Polyester Motor Run/AC Film Capacitors In Boxes |
| 256ME-400K | 制造商:ILLINOISCAPACITOR 制造商全称:Illinois Capacitor, Inc. 功能描述:Metallized Polyester Motor Run/AC Film Capacitors In Boxes |
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