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参数资料
| 型号： | 256MBDDRSDRAM |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 0.3 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规格版本0.3 |
| 文件页数： | 7/51页 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | 256MBDDRSDRAM |
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REV. 0.3 November 2. 2000
256Mb DDR SDRAM
General Information
Preliminary
Organization
133Mhz w/ CL=2
133Mhz w/ CL=2.5
100Mhz w/ CL=2
64Mx4
K4H560438B-TCA2
K4H560438B-TCB0
K4H560438B-TCA0
K4H560438B-TLA2
K4H560438B-TLB0
K4H560438B-TLA0
32Mx8
K4H560838B-TCA2
K4H560838B-TCB0
K4H560838B-TCA0
K4H560838B-TLA2
K4H560838B-TLB0
K4H560838B-TLA0
16Mx16
K4H561638B-TCA2
K4H561638B-TCB0
K4H561638B-TCA0
K4H561638B-TLA2
K4H561638B-TLB0
K4H561638B-TLA0
T
:
TSOP2 (400mil x 875mil)
A0
:
10ns@CL2
A2
:
7.5ns@CL2
B0
:
7.5ns@CL2.5
C :
(Commercial, Normal)
L :
(Commercial, Low)
04
:
x4
08
:
x8
16
:
x16
32
:
x32
6. Bank
64
:
64M 4K/64ms
28
:
128M 4K/64ms
56
:
256M 8K/64ms
51
:
512M 8K/64ms
1G
:
1G 16K/32ms
H
:
DDR SDRAM
M
:
1st Generation
A
:
2nd Generation
B
:
3rd Generation
C
:
4th Generation
D
:
5th Generation
E
:
6th Generation
K 4 H XX XX X X X - X X
Memory
DRAM
Small Classification
Density and Refresh
Temperature & Power
Package
Organization
Version
Interface (VDD & VDDQ)
1. SAMSUNG Memory : K
2. DRAM : 4
3. Small Classification
4. Density & Refresh
5. Organization
8. Version
9. Package
10. Temperature & Power
11. Speed
3
:
4 Bank
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
XX
8
:
SSTL-2(2.5V, 2.5V)
7. Interface (VDD & VDDQ)
Speed
Bank
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PDF描述 |
|---|---|
| 25AV5-GA | FOR TV HORIZONTAL-DEFLECTION AMPLIFIER APPLICATIONS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 256ME-350K | 制造商:ILLINOISCAPACITOR 制造商全称:Illinois Capacitor, Inc. 功能描述:Metallized Polyester Motor Run/AC Film Capacitors In Boxes |
| 256ME-400K | 制造商:ILLINOISCAPACITOR 制造商全称:Illinois Capacitor, Inc. 功能描述:Metallized Polyester Motor Run/AC Film Capacitors In Boxes |
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