参数资料
型号: 2SC5945TR-E
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数: 10/36页
文件大小: 350K
代理商: 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 18 of 35
S parameter
(VCE = 3.3 V, IC = 20 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.748
-165.5
9.86
89.3
0.041
31.3
0.500
-145.4
500
0.752
-171.6
7.85
84.8
0.044
33.0
0.496
-151.9
600
0.757
-176.1
6.48
81.3
0.046
34.4
0.496
-156.6
700
0.759
-179.9
5.50
78.3
0.049
36.3
0.497
-160.1
800
0.761
176.8
4.77
75.7
0.052
37.7
0.499
-163.0
900
0.762
173.9
4.20
73.4
0.054
39.0
0.501
-165.4
1000
0.764
171.2
3.75
71.4
0.058
40.3
0.503
-167.4
1100
0.766
168.9
3.38
69.5
0.061
41.6
0.505
-169.1
1200
0.767
166.6
3.08
67.6
0.064
42.4
0.507
-170.6
1300
0.767
164.5
2.84
65.7
0.067
42.8
0.508
-171.9
1400
0.768
162.3
2.63
63.9
0.070
43.6
0.510
-173.1
1500
0.768
160.2
2.44
62.1
0.074
43.9
0.512
-174.2
1600
0.770
158.3
2.29
60.5
0.077
44.4
0.513
-175.1
1700
0.773
156.5
2.15
58.8
0.081
44.6
0.515
-175.9
1800
0.774
154.9
2.02
57.2
0.084
44.5
0.516
-176.7
1900
0.773
153.2
1.91
55.5
0.087
44.6
0.517
-177.5
2000
0.772
151.5
1.82
53.9
0.091
44.5
0.518
-178.1
2100
0.773
149.7
1.73
52.2
0.094
44.3
0.520
-178.7
2200
0.774
148.0
1.66
50.6
0.098
44.2
0.521
-179.4
2300
0.777
146.5
1.59
49.2
0.101
43.9
0.522
-179.9
2400
0.778
145.1
1.52
47.7
0.104
43.6
0.522
179.5
2500
0.779
143.7
1.46
46.2
0.108
43.3
0.523
179.0
2600
0.776
142.0
1.41
44.5
0.111
42.8
0.524
178.5
2700
0.776
140.4
1.36
42.9
0.115
42.4
0.524
177.9
2800
0.776
138.8
1.31
41.3
0.118
41.9
0.525
177.4
2900
0.778
137.4
1.27
39.9
0.122
41.4
0.525
176.9
3000
0.779
136.0
1.23
38.5
0.125
40.8
0.526
176.3
相关PDF资料
PDF描述
2SC5949-O 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949-R 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5950 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5957-N 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2