参数资料
型号: 2SC5945TR-E
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数: 11/36页
文件大小: 350K
代理商: 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 19 of 35
S parameter
(VCE = 3.3 V, IC = 30 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.753
-171.8
10.53
87.5
0.034
38.6
0.525
-153.8
500
0.757
-176.5
8.34
83.6
0.038
40.8
0.526
-159.1
600
0.761
179.7
6.87
80.5
0.041
43.4
0.528
-162.9
700
0.763
176.4
5.83
77.8
0.044
45.1
0.530
-165.9
800
0.764
173.6
5.05
75.5
0.048
46.5
0.532
-168.3
900
0.765
170.9
4.44
73.4
0.052
47.5
0.535
-170.4
1000
0.766
168.5
3.97
71.5
0.056
48.8
0.537
-172.1
1100
0.768
166.4
3.58
69.8
0.059
49.5
0.539
-173.5
1200
0.768
164.3
3.27
68.0
0.063
49.8
0.541
-174.9
1300
0.768
162.3
3.00
66.3
0.067
50.1
0.542
-176.0
1400
0.768
160.3
2.78
64.6
0.071
50.4
0.543
-177.1
1500
0.768
158.3
2.59
62.9
0.075
50.4
0.545
-178.1
1600
0.770
156.5
2.42
61.4
0.079
50.4
0.546
-179.0
1700
0.773
154.8
2.28
59.8
0.083
50.2
0.547
-179.8
1800
0.773
153.2
2.15
58.3
0.086
50.0
0.548
179.4
1900
0.772
151.6
2.03
56.7
0.090
49.7
0.549
178.7
2000
0.770
149.9
1.93
55.1
0.094
49.3
0.549
178.1
2100
0.771
148.2
1.84
53.5
0.098
48.9
0.550
177.5
2200
0.772
146.5
1.76
52.0
0.102
48.4
0.551
176.8
2300
0.775
145.0
1.69
50.6
0.105
47.9
0.551
176.2
2400
0.775
143.7
1.62
49.2
0.109
47.3
0.551
175.7
2500
0.776
142.3
1.55
47.7
0.113
46.8
0.551
175.1
2600
0.773
140.7
1.50
46.2
0.117
46.0
0.551
174.6
2700
0.772
139.1
1.44
44.6
0.121
45.5
0.551
174.0
2800
0.772
137.5
1.40
43.0
0.124
44.7
0.551
173.5
2900
0.773
136.1
1.35
41.7
0.128
44.1
0.551
172.9
3000
0.775
134.8
1.31
40.3
0.132
43.2
0.551
172.3
相关PDF资料
PDF描述
2SC5949-O 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949-R 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5950 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5957-N 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2