参数资料
型号: 2SC5945TR-E
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数: 5/36页
文件大小: 350K
代理商: 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 13 of 35
S parameter
(VCE = 3 V, IC = 100 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.771
178.5
11.27
84.9
0.026
59.9
0.588
-166.4
500
0.773
175.5
8.90
81.9
0.031
62.2
0.592
-169.7
600
0.775
173.0
7.32
79.4
0.035
63.0
0.596
-172.2
700
0.776
170.6
6.21
77.3
0.040
63.2
0.599
-174.2
800
0.776
168.3
5.38
75.4
0.045
63.7
0.602
-176.0
900
0.776
166.2
4.74
73.7
0.050
63.4
0.604
-177.5
1000
0.776
164.2
4.23
72.1
0.055
63.3
0.606
-178.8
1100
0.777
162.4
3.83
70.6
0.060
63.1
0.608
-180.0
1200
0.777
160.6
3.49
69.1
0.064
62.4
0.609
178.9
1300
0.776
158.8
3.22
67.6
0.069
62.0
0.610
178.0
1400
0.776
156.9
2.99
66.0
0.074
61.3
0.611
177.0
1500
0.776
155.1
2.78
64.5
0.078
60.7
0.612
176.2
1600
0.777
153.4
2.60
63.2
0.083
60.0
0.612
175.4
1700
0.779
151.8
2.45
61.8
0.088
59.2
0.613
174.7
1800
0.778
150.4
2.31
60.4
0.092
58.3
0.613
173.9
1900
0.777
148.9
2.19
58.9
0.096
57.6
0.613
173.2
2000
0.775
147.2
2.08
57.4
0.101
56.6
0.613
172.6
2100
0.775
145.6
1.99
56.0
0.105
55.7
0.613
172.0
2200
0.775
144.0
1.90
54.6
0.110
54.9
0.613
171.3
2300
0.777
142.6
1.82
53.3
0.114
53.9
0.612
170.7
2400
0.778
141.3
1.75
52.0
0.118
53.0
0.612
170.1
2500
0.777
139.9
1.68
50.6
0.123
52.1
0.611
169.6
2600
0.774
138.4
1.62
49.1
0.127
51.1
0.610
168.9
2700
0.773
136.8
1.57
47.6
0.131
50.1
0.610
168.3
2800
0.772
135.3
1.51
46.1
0.135
49.3
0.609
167.7
2900
0.773
133.9
1.47
44.9
0.140
48.2
0.608
167.1
3000
0.774
132.6
1.43
43.5
0.144
47.1
0.607
166.5
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