收藏本站
参数资料
型号： 2SC5945TR-E
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数： 2/36页
文件大小： 350K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 10 of 35
S parameter
(VCE = 3 V, IC = 30 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.755
-172.0
10.39
87.5
0.035
38.2
0.531
-154.4
500
0.759
-176.8
8.22
83.6
0.038
41.0
0.531
-159.7
600
0.763
179.5
6.78
80.5
0.041
42.9
0.534
-163.4
700
0.764
176.3
5.75
77.9
0.045
45.1
0.536
-166.3
800
0.766
173.4
4.98
75.5
0.048
46.5
0.538
-168.7
900
0.766
170.8
4.39
73.5
0.052
47.5
0.540
-170.7
1000
0.768
168.4
3.91
71.6
0.056
48.7
0.543
-172.4
1100
0.770
166.3
3.54
69.9
0.060
49.6
0.544
-173.9
1200
0.770
164.2
3.22
68.1
0.063
50.1
0.546
-175.2
1300
0.770
162.2
2.97
66.4
0.067
50.2
0.547
-176.4
1400
0.770
160.2
2.75
64.7
0.071
50.4
0.549
-177.5
1500
0.771
158.2
2.56
63.0
0.075
50.3
0.550
-178.5
1600
0.772
156.4
2.39
61.5
0.079
50.4
0.551
-179.4
1700
0.774
154.7
2.25
60.0
0.083
50.3
0.552
179.9
1800
0.775
153.2
2.12
58.4
0.087
49.8
0.554
179.1
1900
0.774
151.5
2.01
56.8
0.090
49.7
0.554
178.4
2000
0.773
149.8
1.91
55.2
0.094
49.3
0.555
177.8
2100
0.773
148.1
1.82
53.6
0.098
48.8
0.555
177.1
2200
0.774
146.5
1.74
52.1
0.102
48.3
0.556
176.5
2300
0.776
145.0
1.67
50.7
0.106
47.8
0.556
175.9
2400
0.777
143.6
1.60
49.3
0.110
47.2
0.556
175.4
2500
0.777
142.2
1.54
47.9
0.114
46.7
0.556
174.8
2600
0.775
140.7
1.48
46.3
0.117
45.9
0.556
174.3
2700
0.774
139.0
1.43
44.7
0.121
45.4
0.556
173.7
2800
0.774
137.4
1.38
43.1
0.125
44.7
0.556
173.1
2900
0.775
136.1
1.34
41.8
0.129
44.0
0.556
172.6
3000
0.776
134.7
1.30
40.4
0.133
43.2
0.556
172.0
相关PDF资料
PDF描述
2SC5949-O 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949-R 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5950 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5957-N 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*