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参数资料
| 型号： | 2SC5945TR-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6 |
| 文件页数： | 23/36页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | 2SC5945TR-E |
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2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 3 of 35
0
12
3
5
1.5
1.0
0.5
20
15
10
0
1
10
100
1000
VCE = 3 V
f = 1 GHz
5
IE = 0
f = 1 MHz
4
500
400
300
200
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VCE = 3 V
100
0
1
10
1000
150
200
50
100
VCE = 3 V
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Transfer Characteristics
Collector Current IC (mA)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector to Base Voltage VCB (V)
Reverse
T
ransfer
Capacitance
C
re
(pF)
Reverse Transfer Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector Current IC (mA)
T
ransition
Frequency
f
T
(GHz)
Transition Frequency vs.
Collector Current
0
5
10
15
20
25
30
1
10
100
1000
f = 0.5 GHz
1.0 GHz
1.8 GHz
2.4 GHz
VCE = 3 V
MAG
MSG
20
0
0.1
1
10
30
40
10
VCE = 3 V
IC = 100 mA
MSG
|S21|2
MAG
Frequency f (GHz)
Gain
G
(dB)
S21 Parameter, Maximum Available Gain,
Maximum Stable Gain vs. Frequency
Collector Current IC (mA)
Maximum
Stable
Gain
MSG
(dB)
Maximum
Available
Gain
MAG
(dB)
Maximum Available Gain, Maximum Stable Gain
vs. Collector Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5949-O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5949-R | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5949 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5950 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5957-N | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC594600L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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