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参数资料
| 型号： | 2SC5945TR-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6 |
| 文件页数： | 12/36页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | 2SC5945TR-E |
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2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 2 of 35
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
DC current transfer ratio
hFE
110
150
190
VCE = 3 V, IC = 100 mA
Reverse Transfer Capacitance
Cre
1.0
pF
VCB = 2 V, IE = 0, f = 1 MHz,
emitter grounded
Transition Frequency
fT
15.5
GHz
VCE = 3 V, IC = 100 mA,
f = 1 GHz
Maximum Available Gain
MAG
9
dB
VCE = 3 V, IC = 100 mA,
f = 2.4 GHz
Power Gain
PG
4
6
dB
Power Added Efficiency
PAE
30
40
%
VCE = 3.3 V, ICq = 100 mA,
f = 2.4 GHz, Pin= +20 dBm
1dB Compression Point at output
P1dB
+24
dBm
VCE = 3.3 V, ICq = 100 mA,
f = 2.4 GHz
1dB Compression Point at output
P1dB
+26
dBm
VCE = 3.3 V, ICq = 250 mA,
f = 2.4 GHz
Main Characteristics
500
400
300
200
100
12
3
4
5
0
IB = 0.5 mA
0
50
100
150
200
1.5
1.0
0.5
1.5 mA
2.5 mA
3.5 mA
1.0 mA
2.0 mA
3.0 mA
4.0 mA
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics
Collector
Power
Dissipation
Pc
*
(W)
Collector Power Dissipation Curve
Ambient Temperature Ta (°C)
*(40 x 40 x 1 mm)
Value on PCB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5949-O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5949-R | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5949 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5950 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5957-N | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC594600L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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| 2SC5948-O(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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