收藏本站
参数资料
型号： 2SC5945TR-E
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数： 18/36页
文件大小： 350K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 25 of 35
S parameter
(VCE = 3.3 V, IC = 250 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.750
-169.3
10.27
88.2
0.037
35.1
0.513
-150.5
500
0.755
-174.5
8.14
84.1
0.040
37.2
0.513
-156.2
600
0.759
-178.6
6.71
80.8
0.043
39.2
0.514
-160.4
700
0.761
177.9
5.70
78.0
0.046
41.4
0.516
-163.6
800
0.762
174.9
4.94
75.6
0.049
42.9
0.518
-166.2
900
0.763
172.1
4.34
73.4
0.053
44.0
0.520
-168.4
1000
0.765
169.6
3.88
71.4
0.056
45.3
0.522
-170.2
1100
0.767
167.4
3.50
69.6
0.060
46.3
0.524
-171.8
1200
0.767
165.3
3.19
67.8
0.063
46.8
0.526
-173.2
1300
0.768
163.2
2.94
66.0
0.067
47.2
0.528
-174.4
1400
0.768
161.1
2.72
64.3
0.071
47.5
0.529
-175.6
1500
0.768
159.1
2.53
62.6
0.074
47.8
0.531
-176.6
1600
0.770
157.2
2.37
61.0
0.078
48.0
0.532
-177.5
1700
0.773
155.5
2.22
59.4
0.082
48.0
0.534
-178.3
1800
0.773
153.9
2.10
57.8
0.085
47.8
0.535
-179.1
1900
0.772
152.2
1.98
56.2
0.089
47.6
0.536
-179.8
2000
0.771
150.5
1.88
54.6
0.093
47.4
0.536
179.6
2100
0.772
148.8
1.80
53.0
0.096
47.1
0.537
179.0
2200
0.773
147.2
1.72
51.4
0.100
46.7
0.538
178.3
2300
0.776
145.6
1.64
50.0
0.104
46.2
0.538
177.7
2400
0.776
144.3
1.58
48.6
0.107
45.8
0.538
177.2
2500
0.776
142.9
1.52
47.1
0.111
45.3
0.539
176.7
2600
0.775
141.3
1.46
45.5
0.114
44.8
0.539
176.1
2700
0.774
139.6
1.41
43.9
0.118
44.2
0.539
175.6
2800
0.773
138.0
1.36
42.3
0.122
43.6
0.540
175.0
2900
0.775
136.6
1.32
40.9
0.126
43.1
0.540
174.5
3000
0.777
135.3
1.28
39.6
0.129
42.2
0.540
173.9
相关PDF资料
PDF描述
2SC5949-O 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949-R 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5949 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5950 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5957-N 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*