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参数资料
| 型号： | 2SC5945TR-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6 |
| 文件页数： | 31/36页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | 2SC5945TR-E |
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2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 4 of 35
Pin-Pout Characteristics
0
20
40
60
80
100
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
Output
Power
P
out
(d
B
m
)
Power
Added
Efficiency
PA
E
(%
)
VBB : Bias Adjustment
Power
Added
Efficiency
PA
E
(%
)
* 1
F
0.22 nF 1000 pF
100 pF // 15 pF
15 pF
100 pF // 15 pF
4.7 nH
10 nH
1000 pF 0.22 nF
* 1
F
0.75 pF
0.5 pF
1.0 nH
22
VCC = +3.3 V
1 pF
22 nH 0.75 pF
OUT
IN
Output Power, Power Added Efficiency
vs. Input Power
Input Power Pin (dBm)
Output
Power
P
out
(d
B
m
)
30
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
Power
Gain
PG
(d
B
)
Power Gain vs. Input Power
Input Power Pin (dBm)
30
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
Input Power Pin (dBm)
Power
Gain
PG
(d
B
)
30
++
PAE
Pout
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 100 mA
PAE
Pout
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 250 mA
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 100 mA
Vcc = 3.3 V
f = 2.4 GHz
Icq = 250 mA
-
Output Power, Power Added Efficiency
vs. Input Power
Power Gain vs. Input Power
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5949-O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5949-R | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5949 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5950 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5957-N | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC594600L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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