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参数资料
| 型号： | BQ4014YMB-120 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 包装： | 管件 |
MECHANICAL DATA
MPDI062 – MAY 2001
MB (R-PDIP-T32)
Inches
PLASTIC DUAL-IN-LINE
Millimeters
Dimension
A
A1
B
C
D
E
e
Min.
0.365
0.015
0.017
0.008
2.070
0.710
0.590
Max.
0.375
–
0.023
0.013
2.100
0.740
0.630
Min.
9.27
0.38
0.43
0.20
52.58
18.03
14.99
Max.
9.53
–
0.58
0.33
53.34
18.80
16.00
D
G
L
S
0.090
0.120
0.275
0.110
0.150
0.310
2.29
3.05
6.99
2.79
3.81
7.87
E
A
A1
L
C
B
e
S
G
4201976/A 03/01
NOTES: A. All linear dimensions are in inches (mm).
B. This drawing is subject to change without notice.
?
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BQ4015MA-120 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
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