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参数资料
| 型号： | BQ4014YMB-120 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 包装： | 管件 |
bq4014/bq4014Y
AC Test Conditions
Parameter
Input pulse levels
Input rise and fall times
Input and output timing reference levels
Output load (including scope and jig)
Figure 1. Output Load A
Test Conditions
0V to 3.0V
5 ns
1.5 V (unless otherwise specified)
See Figures 1 and 2
Figure 2. Output Load B
Read Cycle
(TA = 0 to 70°C, VCCmin ≤ VCC ≤ VCCmax)
-85
-120
Symbol
t RC
t AA
t ACE
t OE
t CLZ
t OLZ
t CHZ
t OHZ
t OH
Parameter
Read cycle time
Address access time
Chip enable access time
Output enable to output valid
Chip enable to output in low Z
Output enable to output in low Z
Chip disable to output in high Z
Output disable to output in high Z
Output hold from address change
Min.
85
-
-
-
5
0
0
0
10
Max.
-
85
85
45
-
-
35
25
-
Min.
120
-
-
-
5
0
0
0
10
Max.
-
120
120
60
-
-
45
35
-
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Conditions
Output load A
Output load A
Output load A
Output load B
Output load B
Output load B
Output load B
Output load A
Sept. 1992
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BQ4015MA-120 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
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