- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录316 > BQ4014YMB-120 (Texas Instruments)IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BQ4014YMB-120 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 包装： | 管件 |
bq4014/bq4014Y
Recommended DC Operating Conditions (TA = 0 to 70°C)
Symbol
V CC
V SS
V IL
V IH
Parameter
Supply voltage
Supply voltage
Input low voltage
Input high voltage
Minimum
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
Typical
5.0
5.0
0
-
-
Maximum
5.5
5.5
0
0.8
V CC + 0.3
Unit
V
V
V
V
V
Notes
bq4014Y
bq4014
Note:
Typical values indicate operation at T A = 25°C.
DC Electrical Characteristics (TA = 0 to 70°C, VCCmin
≤ VCC ≤ VCCmax)
Symbol
I LI
I LO
V OH
V OL
I SB1
I SB2
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output high voltage
Output low voltage
Standby supply current
Standby supply current
Minimum
-
-
2.4
-
-
-
Typical
-
-
-
-
5
2.5
Maximum
± 2
± 2
-
0.4
12
5
Unit
μ A
μ A
V
V
mA
mA
Conditions/Notes
V IN = V SS to V CC
CE = V IH or OE = V IH or
WE = V IL
I OH = -1.0 mA
I OL = 2.1 mA
CE = V IH
CE ≥ V CC - 0.2V,
0V ≤ V IN ≤ 0.2V,
or V IN ≥ V CC - 0.2
Min. cycle, duty = 100%,
I CC
V PFD
V SO
Operating supply current
Power-fail-detect voltage
Supply switch-over voltage
-
4.55
4.30
-
75
4.62
4.37
3
110
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
CE = V IL , I I/O = 0mAV,
A17 < V IL or A17 > V IH
bq4014
bq4014Y
Note:
Typical values indicate operation at T A = 25°C, V CC = 5V.
Capacitance (TA = 25°C, F = 1MHz, VCC = 5.0V)
Symbol
C I/O
C IN
Parameter
Input/output capacitance
Input capacitance
Minimum
-
-
Typical
-
-
Maximum
40
40
Unit
pF
pF
Conditions
Output voltage = 0V
Input voltage = 0V
Note:
These parameters are sampled and not 100% tested.
Sept. 1992
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR100/03,113 | DIAC 32V 2A SOD27 |
| BR24S256F-WE2 | IC EEPROM 256KBIT 100KHZ SOP8 |
| BR24T256FV-WE2 | IC EEPROM I2C 256K 400KHZ 8-SSOP |
| BR25L640F-WE2 | IC EEPROM SER 64KB SPI BUS 8SOP |
| BR25S128GUZ-WE2 | IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BQ4014YMB-85 | 功能描述:NVRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| BQ4015 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
| BQ4015_07 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
| BQ4015LYMA-70N | 功能描述:NVRAM 512Kx8 Nonvol SRAM 3.3V In 10% Vltg Tol RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| BQ4015MA-120 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。