参数资料
型号: BQ4014YMB-120
厂商: Texas Instruments
文件页数: 9/14页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
标准包装: 15
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 2M (256K x 8)
速度: 120ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 32-DIP 模块(0.61",15.49mm)
供应商设备封装: 32-DIP 模块(18.42x52.96)
包装: 管件
bq4014/bq4014Y
Data Sheet Revision History (Sept. 1992 Changes From Sept. 1990)
Clarification of I CC test conditions, page 3.
MB: 32-Pin B-Type Module
32-Pin MB (B-Type Module)
Dimension
A
A1
B
C
D
E
e
Minimum
0.365
0.015
0.017
0.008
2.070
0.710
0.590
Maximum
0.375
-
0.023
0.013
2.100
0.740
0.630
Sept. 1992
9
G 0.090
L 0.120
S 0.275
All dimensions are in inches.
0.110
0.150
0.310
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PDF描述
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参数描述
BQ4014YMB-85 功能描述:NVRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
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BQ4015MA-120 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM