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参数资料
| 型号： | BQ4014YMB-120 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 包装： | 管件 |
bq4014/bq4014Y
Write Cycle No. 1 (WE-Controlled) 1,2,3
Write Cycle No. 2 (CE-Controlled) 1,2,3,4,5
Notes:
1. CE or WE must be high during address transition.
2. Because I/O may be active (OE low) during this period, data input signals of opposite polarity to the
outputs must not be applied.
3. If OE is high, the I/O pins remain in a state of high impedance.
4. Either t WR1 or t WR2 must be met.
5. Either t DH1 or t DH2 must be met.
Sept. 1992
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BQ4015MA-120 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
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