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参数资料
| 型号： | BQ4014YMB-120 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商设备封装： | 32-DIP 模块（18.42x52.96） |
| 包装： | 管件 |
bq4014/bq4014Y
Power-Down/Power-Up Cycle (TA = 0 to 70°C)
Symbol
t PF
t FS
t PU
Parameter
V CC slew, 4.75 to 4.25 V
V CC slew, 4.25 to V SO
V CC slew, V SO to V PFD (max.)
Minimum
300
10
0
Typical
-
-
-
Maximum
-
-
-
Unit
μ s
μ s
μ s
Conditions
Time during which
t CER
Chip enable recovery time
40
80
120
ms
SRAM is write-protected
after V CC passes V PFD on
power-up.
t DR
t WPT
Data-retention time in
absence of V CC
Write-protect time
10
40
-
100
-
150
years
μ s
T A = 25°C. (2)
Delay after V CC slews
down past V PFD before
SRAM is write-protected.
Notes:
1. Typical values indicate operation at T A = 25°C, V CC = 5V.
2. Batteries are disconnected from circuit until after V CC is applied for the first time. t DR is the
accumulated time in absence of power beginning when power is first applied to the device.
Caution: Negative undershoots below the absolute maximum rating of -0.3V in battery-backup mode
may affect data integrity.
Power-Down/Power-Up Timing
Sept. 1992
8
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BQ4015MA-120 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:512Kx8 Nonvolatile SRAM |
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