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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM1111 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规范版本1.0 |
| 文件页数： | 35/53页 |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | DDRSDRAM1111 |
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- 35 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
WRITE
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ/READA
Terminate Burst With DM=High,
Latch CA, Begin Read, Deter-
mine Auto-Precharge*3
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE/WRITEA
Terminate Burst, Latch CA,
Begin new Write, Determine
Auto-Precharge*3
L
L
H
H
BA, RA
Active
Bank Active/ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
Terminate Burst With DM=High,
Precharge
ILLEGAL
L
L
L
H
X
Refresh
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
READ with
AUTO
PRECHARGE
*6
(READA)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ/READA
*6
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE/WRITEA ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
Active
*6
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
*6
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE with
AUTO
RECHARGE
*7
(WRITEA)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ/READA
*7
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE/WRITEA *7
L
L
H
H
BA, RA
Active
*7
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
*7
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
Table 9-2. Functional truth table
MRS
ILLEGAL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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