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参数资料
| 型号： | DDRSDRAM1111 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的规范版本1.0 |
| 文件页数： | 46/53页 |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | DDRSDRAM1111 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
9. AC Operating Test Conditions
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 0 to 70
°
C)
Parameter
Value
Unit
Note
Input reference voltage for Clock
0.5 * V
DDQ
V
Input signal maximum peak swing
1.5
V
Input signal minimum slew rate
1.0
V/ns
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing measurement reference level
V
tt
V
Output load condition
See Load Circuit
10. Input/Output Capacitance
(V
DD
=2.5, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 25
°
C
,
f=1MHz)
Parameter
Symbol
Min
Max
Delta Cap(max)
Unit
Input capacitance
(A
0
~ A
11
, BA
0
~ BA
1,
CKE, CS, RAS,CAS, WE)
Input capacitance(
CK, CK )
C
IN1
2
3.0
0.5
pF
C
IN2
2
3.0
0.25
pF
Data & DQS input/output capacitance
C
OUT
4.0
5.0
0.5
pF
Input capacitance(DM)
C
IN3
4.0
5.0
pF
Table 15. AC operating test conditions
Table 16. Input/output capacitance
Figure 24. Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
V
tt
=0.5*V
DDQ
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