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参数资料
| 型号： | E28F200BX-B60 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 60 ns, PDSO56 |
| 封装： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件页数： | 25/48页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | E28F200BX-B60 |
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28F200BX-TB 28F002BX-TB
DC CHARACTERISTICS EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
Symbol
Parameter
Notes Min Typ
Max Unit
Test Condition
ILI
Input Load Current
1
g
10
m
AVCC e VCC Max
VIN e VCC or GND
ILO
Output Leakage Current
1
g
10
m
AVCC e VCC Max
VOUT e VCC or GND
ICCS
VCC Standby Current
1 3
15
mA VCC e VCC Max
CE
e
RP
e
VIH
100
m
AVCC e VCC Max
CE
e
RP
e
VCC g02V
28F200BX
BYTE
e
VCC g02V or GND
ICCD
VCC Deep Power-Down Current
1
020
20
m
ARP
e
GND g02V
ICCR
VCC Read Current for
1 5
60
mA VCC e VCC Max CE
e
GND
28F200BX Word-Wide and
6
f e 10 MHz IOUT e 0mA
Byte-Wide Mode and
CMOS Inputs
28F002BX Byte-Wide Mode
65
mA VCC e VCC Max CE
e
VIL
f e 10 MHz IOUT e 0mA
TTL Inputs
ICCW
VCC Word Byte Write Current
1
70
mA Word Write in Progress
ICCE
VCC Block Erase Current
1
40
mA Block Erase in Progress
ICCES
VCC Erase Suspend Current
1 2
5
10
mA Block Erase Suspended
CE
e
VIH
IPPS
VPP Standby Current
1
g
15
m
AVPP s VCC
IPPD
VPP Deep Power-Down Current
1
50
m
ARP
e
GND g02V
IPPR
VPP Read Current
1
200
m
AVPP l VCC
IPPW
VPP Word Write Current
1 4
40
mA VPP e VPPH
Word Write in Progress
IPPW
VPP Byte Write Current
1 4
30
mA VPP e VPPH
Byte Write in Progress
IPPE
VPP Block Erase Current
1 4
30
mA VPP e VPPH
Block Erase in Progress
IPPES
VPP Erase Suspend Current
1
200
m
AVPP e VPPH
Block Erase Suspended
IRP
RP
Boot Block Unlock Current
1 4
500
m
ARP
e
VHH
IID
A9 Intelligent Identifier Current
1
500
m
AA9 e VID
VID
A9 Intelligent Identifier Voltage
115
130
V
31
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