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参数资料
| 型号： | E28F200BX-B60 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 60 ns, PDSO56 |
| 封装： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件页数： | 29/48页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | E28F200BX-B60 |
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28F200BX-TB 28F002BX-TB
EXTENDED TEMPERATURE OPERATIONS
AC CHARACTERISTICSRead Only Operations(1)
Versions
T28F200BX-80(4)
Unit
T28F002BX-80(4)
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
tAVAV
tRC
Read Cycle Time
80
ns
tAVQV
tACC
Address to
80
ns
Output Delay
tELQV
tCE
CE
to Output Delay
2
80
ns
tPHQV
tPWH
RP
High to
300
ns
Output Delay
tGLQV
tOE
OE
to Output Delay
2
40
ns
tELQX
tLZ
CE
to Output Low Z
3
0
ns
tEHQZ
tHZ
CE
High to Output
3
30
ns
High Z
tGLQX
tOLZ
OE
to Output Low Z
3
0
ns
tGHQZ
tDF
OE
High to Output
3
30
ns
High Z
tOH
Output Hold from
3
0
ns
Addresses
CE
or OE
Change
Whichever is First
tIR
Input Rise Time
10
ns
tIF
Input Fall Time
10
ns
tELFL
CE
to BYTE
35
ns
tELFH
Switching
Low or High
tFHQV
BYTE
Switching
3 5
80
ns
High to
Valid Output Delay
tFLQZ
BYTE
Switching
3
30
ns
Low to
Output High Z
NOTES
1 See AC InputOutput Reference Waveform for timing measurements
2 OE
may be delayed up to tCE–tOE after the falling edge of CE
without impact on tCE
3 Sampled not 100% tested
4 See Standard Test Configuration
5 tFLQV BYTE
switching low to valid output delay will be equal to tAVQV measured from the time DQ5 A-1 becomes
valid
35
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