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参数资料
| 型号： | E28F200BX-B60 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 60 ns, PDSO56 |
| 封装： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件页数： | 8/48页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | E28F200BX-B60 |
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28F200BX-TB 28F002BX-TB
Table 1 Bus Operations for WORD-WIDE Mode (BYTE
e
VIH)
Mode
Notes
RP
CE
OE
WE
A9
A0
VPP
DQ0–15
Read
1 2
VIH
VIL
VIH
XX
X
DOUT
Output Disable
VIH
VIL
VIH
X
High Z
Standby
VIH
X
High Z
Deep Power-Down
9
VIL
X
High Z
Intelligent Identifier (Mfr)
3 4
VIH
VIL
VIH
VID
VIL
X
0089H
Intelligent Identifier (Device)
3 4 5
VIH
VIL
VIH
VID
VIH
X
2274H
2275H
Write
6 7 8
VIH
VIL
VIH
VIL
XX
X
DIN
Table 2 Bus Operations for BYTE-WIDE Mode (BYTE
e
VIL)
Mode
Notes
RP
CE
OE
WE
A9
A0
Ab1 VPP DQ0–7 DQ8–14
Read
1 2 3
VIH
VIL
VIH
XX
X
DOUT
High Z
Output Disable
VIH
VIL
VIH
X
High Z
Standby
VIH
X
High Z
Deep Power-Down
9
VIL
X
High Z
Intelligent Identifier (Mfr)
4
VIH
VIL
VIH
VID
VIL
X
89H
High Z
Intelligent Identifier
4 5
VIH
VIL
VIH
VID VIH
X
74H
High Z
(Device)
75H
Write
6 7 8
VIH
VIL
VIH
VIL
XX
X
DIN
High Z
NOTES
1 Refer to DC Characteristics
2 X can be VIL or VIH for control pins and addresses VPPL or VPPH for VPP
3 See DC characteristics for VPPL VPPH VHH VID voltages
4 Manufacturer and Device codes may also be accessed via a CUI write sequence A1–A17 e X
5 Device ID e 2274H for 28F200BX-T and 2275H for 28F200BX-B
6 Refer to Table 4 for valid DIN during a write operation
7 Command writes for Block Erase or WordByte Write are only executed when VPP e VPPH
8 To write or erase the boot block hold RP
at VHH
9 RP
must be at GND g02V to meet the 12 mA maximum deep power-down current
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