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参数资料
| 型号： | E28F200BX-T120 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封装： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件页数： | 28/48页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | E28F200BX-T120 |
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28F200BX-TB 28F002BX-TB
AC CHARACTERISTICSRead Only Operations(1)
Versions
VCC g5%
VCC g 10%
Unit
28F200BX-60(4) 28F200BX-60(5) 28F200BX-80(5) 28F200BX-120(5)
28F002BX-60(4) 28F002BX-60(5) 28F002BX-80(5) 28F002BX-120(5)
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tAVAV tRC Read Cycle Time
60
70
80
120
ns
tAVQV tACC Address to
60
70
80
120
ns
Output Delay
tELQV tCE CE
to Output Delay
2
60
70
80
120
ns
tPHQV tPWH RP
High to
300
ns
Output Delay
tGLQV tOE OE
to Output Delay
2
30
35
40
ns
tELQX tLZ
CE
to Output Low Z
3
0
ns
tEHQZ tHZ CE
High to Output
3
20
25
30
ns
High Z
tGLQX tOLZ OE
to Output Low Z
3
0
ns
tGHQZ tDF OE
High to Output
3
20
25
30
ns
High Z
tOH Output Hold from
3
0
ns
Addresses
CE
or OE
Change
Whichever is First
tIR
Input Rise Time
10
ns
tIF
Input Fall Time
10
ns
tELFL
CE
to BYTE
3
555
5
ns
tELFH
Switching
Low or High
tFHQV
BYTE
Switching
3 6
60
70
80
120
ns
High to
Valid Output Delay
tFLQZ
BYTE
Switching
3
20
25
30
ns
Low to
Output High Z
NOTES
1 See AC InputOutput Reference Waveform for timing measurements
2 OE
may be delayed up to tCE–tOE after the falling edge of CE
without impact on tCE
3 Sampled not 100% tested
4 See High Speed Test Configuration
5 See Standard Test Configuration
6 tFLQV BYTE
switching low to valid output delay will be equal to tAVQV measured from the time DQ15 A-1 becomes
valid
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