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参数资料
| 型号： | E28F200BX-T120 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封装： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件页数： | 33/48页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | E28F200BX-T120 |
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28F200BX-TB 28F002BX-TB
AC CHARACTERISTICS FOR WE -CONTROLLED WRITE OPERATIONS(1)
Versions
VCC g5%
VCC g 10%
Unit
28F200BX-60(9) 28F200BX-60(10) 28F200BX-80(10) 28F200BX-120(10)
28F002BX-60(9) 28F002BX-60(10) 28F002BX-80(10) 28F002BX-120(10)
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tWC Write Cycle Time
60
70
80
120
ns
tPHWL tPS RP
High
215
ns
Recovery to
WE
Going Low
tELWL tCS CE
Setup to
0
ns
WE
Going Low
tPHHWH tPHS RP
VHH
6 8
100
ns
Setup to
WE
Going High
tVPWH tVPS VPP Setup to
5 8
100
ns
WE
Going High
tAVWH tAS Address Setup to
3
50
ns
WE
Going High
tDVWH tDS Data Setup to
4
50
ns
WE
Going High
tWLWH tWP WE
Pulse Width
50
60
ns
tWHDX tDH Data Hold from
4
0
ns
WE
High
tWHAX tAH Address Hold
3
10
ns
from WE
High
tWHEH tCH CE
Hold from
10
ns
WE
High
tWHWL tWPH WE
Pulse
10
20
ns
Width High
tWHQV1
Duration of
2 5
6
m
s
WordByte Write
Operation
tWHQV2
Duration of Erase 2 5 6
03
s
Operation (Boot)
tWHQV3
Duration of Erase
2 5
03
s
Operation
(Parameter)
tWHQV4
Duration of Erase 2 5 6
06
s
Operation (Main)
tQVVL
tVPH VPP Hold from
5 8
0
ns
Valid SRD
39
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PDF描述 |
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