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参数资料
| 型号： | EN29LV640T-90BIP |
| 厂商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）闪存引导扇区闪存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件页数： | 35/53页 |
| 文件大小： | 495K |
| 代理商： | EN29LV640T-90BIP |
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2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
40
EN29LV640T/B
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
AC CHARACTERISTICS
Table 12. Read-only Operations Characteristics
Parameter
Symbols
Speed Options
JEDEC
Standard
Description
Test
Setup
-70
-90
Unit
t
B
AVAVB
t
B
RCB
Read Cycle Time
Min
70
90
ns
t
B
AVQVB
t
B
ACCB
Address to Output Delay
CE# = V
B
IL
OE#
B
=
B
V
B
ILB
Max
70
90
ns
t
B
ELQVB
t
B
CEB
Chip Enable To Output Delay
OE#
B
= V
B
ILB
Max
70
90
ns
t
B
GLQVB
t
B
OEB
Output Enable to Output Delay
Max
30
35
ns
t
B
EHQZB
t
B
DFB
Chip Enable to Output High Z
Max
20
ns
t
B
GHQZB
t
B
DFB
Output Enable to Output High Z
Max
20
ns
t
B
AXQXB
t
B
OHB
Output Hold Time from
Addresses, CE# or OE#,
whichever occurs first
Min
0
ns
Read
Min
0
ns
t
B
OEHB
Output Enable
Hold Time
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
Notes:
For - 70
Vcc = 3.0V – 3.6V
Output Load: 1 TTL gate and 30pF
Input Rise and Fall Times: 5ns
Input Pulse Levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing Measurement Reference Level, Input and Output: 1.5 V
- 90
Vcc = 2.7V – 3.6V
Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input Rise and Fall Times: 5 ns
Input Pulse Levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing Measurement Reference Level, Input and Output: 1.5 V
Figure 3. AC Waveforms for READ Operations
Addresses
CE#
OE#
WE#
Outputs
RESET#
RY/BY#
0V
Output Valid
t
B
RCB
t
B
ACC
t
B
OEB
t
B
CEB
t
B
OEHB
t
B
OH
t
B
DF
HIGH Z
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