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参数资料
| 型号： | EN29LV640T-90BIP |
| 厂商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）闪存引导扇区闪存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件页数： | 39/53页 |
| 文件大小： | 495K |
| 代理商： | EN29LV640T-90BIP |
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2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
44
EN29LV640T/B
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
Figure 5. Program Operation Timings
Notes:
1. PA=Program Address, PD=Program Data, D
B
OUTB is the true data at the program address.
2. V
B
CCB shown in order to illustrate tBVCSB measurement references. It cannot occur as shown during a valid
command sequence.
tVCS
tDH
tRB
tWHWH1
tBUSY
tDS
tCS
tWPH
tCH
tWP
tGHWL
tWC
tAS
tAH
0x555
PA
PD
Status
DOUT
OxA0
Addresses
CE#
OE#
WE#
Data
RY/BY#
VCC
Program Command Sequence (last 2 cycles)
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PDF描述 |
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