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参数资料
| 型号： | EN29LV640T-90BIP |
| 厂商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）闪存引导扇区闪存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件页数： | 36/53页 |
| 文件大小： | 495K |
| 代理商： | EN29LV640T-90BIP |
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2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
41
EN29LV640T/B
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
AC CHARACTERISTICS
Table 13. Write (Erase/Program) Operations
Parameter
Symbols
Speed Options
JEDEC
Standard
Description
-70
-90
Unit
t
B
AVAVB
t
B
WCB
Write Cycle Time
Min
70
90
ns
t
B
AVWLB
t
B
ASB
Address Setup Time
Min
0
ns
t
B
WLAXB
t
B
AHB
Address Hold Time
Min
45
40
ns
t
B
DVWHB
t
B
DSB
Data Setup Time
Min
30
40
ns
t
B
WHDXB
t
B
DHB
Data Hold Time
Min
0
ns
t
B
OESB
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
B
OEHB
Output Enable Hold Time
during Toggle and DATA#
Polling
Min
10
20
ns
t
B
GHWLB
t
B
GHWLB
Read Recovery Time before
Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
B
ELWLB
t
B
CSB
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
B
WHEHB
t
B
CHB
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
B
WLWHB
t
B
WPB
Write Pulse Width
Min
45
30
ns
t
B
WHDLB
t
B
WPHB
Write Pulse Width High
Min
20
25
ns
Byte
Typ
8
t
B
WHW1B
t
B
WHWH1B
Programming
Operation
Word
Typ
8
s
t
B
WHW1B
t
B
WHWH1B
Accelerated Programming
Operation
(Word AND Byte Mode)
Typ
7
5
s
t
B
WHW2B
t
B
WHWH2B
Sector Erase Operation
Typ
0.5
s
t
B
WHW3B
t
B
WHWH3B
Chip Erase Operation
Typ
70
64
s
tVHH
VHH Rise and Fall Time
Min
250
ns
t
B
VCSB
Vcc Setup Time
Min
50
s
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PDF描述 |
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