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参数资料
| 型号： | EN29LV640T-90BIP |
| 厂商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）闪存引导扇区闪存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件页数： | 38/53页 |
| 文件大小： | 495K |
| 代理商： | EN29LV640T-90BIP |
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2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
43
EN29LV640T/B
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
AC CHARACTERISTICS
Figure 4. AC Waveforms for Chip/Sector Erase Operations Timings
Notes:
1. SA=Sector Address (for sector erase), VA=Valid Address for reading status, D
B
outB=true data at read address.
2. V
B
ccB shown only to illustrate tBvcsB measurement references. It cannot occur as shown during a valid command
sequence.
tDH
tDS
tBUSY
tWPH
tCH
tWP
tCS
tVCS
tRB
tWC
tAS
tAH
tGHWL
tWHWH2 or tWHWH3
0x2AA
SA
VA
0x55
0x30
Status
DOUT
Addresses
CE#
OE#
WE#
Data
RY/BY#
VCC
0x555 for chip
erase
Erase Command Sequence (last 2 cycles)
Read Status Data (last two cycles)
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PDF描述 |
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