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参数资料
| 型号： | FDC6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA，460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6321CDKR |
Electrical Characteristics (T A = 25 O C unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μA
N-Ch
25
V
V GS = 0 V, I D = -250 μA
P-Ch
-25
? BV DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
26
mV / o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 o C
P-Ch
-22
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 20 V, V GS = 0 V,
N-Ch
1
μA
T J = 55°C
10
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS =-20 V, V GS = 0 V,
P-Ch
-1
μA
T J = 55°C
-10
I GSS
Gate - Body Leakage Current
V GS = 8 V, V DS = 0 V
V GS = -8 V, V DS = 0 V
N-Ch
P-Ch
100
-100
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
? V GS(th) / ? T J
Gate Threshold Voltage Temp. Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 o C
N-Ch
-2.6
mV / o C
I D = -250 μA, Referenced to 25 o C
P-Ch
2.1
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
N-Ch
0.65
0.8
1.5
V
V DS = V GS , I D = -250 μA
P-Ch
-0.65
-0.86
-1.5
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 0.5 A
N-Ch
0.33
0.45
?
V GS = 2.7 V, I D = 0.25A
T J =125°C
0.51
0.44
0.72
0.6
V GS = -4.5 V, I D = -0.5 A
V GS = -2.7 V, I D = -0.25 A
T J =125°C
P-Ch
0.87
1.21
1.22
1.1
1.8
1.5
I D(ON)
On-State Drain Current
V GS = 4.5 V, V DS = 5 V
N-Ch
1
A
V GS = -4.5 V, V DS = -5 V
P-Ch
-1
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 0.5 A
N-Ch
1.45
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
V DS = -5 V, I D = -0.5 A
P-Ch
0.8
C iss
Input Capacitance
N-Channel
N-Ch
50
pF
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
P-Ch
63
C oss
Output Capacitance
f = 1.0 MHz
N-Ch
28
pF
P-Channel
P-Ch
34
C rss
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -10 V, V GS = 0V,
N-Ch
9
pF
f = 1.0 MHz
P-Ch
10
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