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参数资料
| 型号： | FDC6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA，460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6321CDKR |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
5
150
4
3
2
I D = -0.5A
V DS = -5V
-10V
-15V
100
50
20
C iss
C oss
1
10
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
5
0.1
0.3
0.5
1
5
10
15
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics .
2
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics .
1m
10
s
0m
1
0.3
RD
S
(O
N
)L
IM
IT
1s
10
s
m
s
4
3
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
0.1
V GS = -4.5V
2
T A = 25°C
0.03
SINGLE PULSE
R θ JA = See Note 1b
A
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0
0.01
0.1
1
10
100
300
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA = See Note 1b
0.05
0.05
0.02
t 1
t 2
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve .
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
FDC6321C.RevB
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PDF描述 |
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参数描述 |
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