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参数资料
| 型号： | FDC6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA，460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6321CDKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel (continued)
5
4
I D = 0.5A
V DS = 5V
15V
10V
150
100
50
C iss
3
C oss
2
20
f = 1 MHz
1
10
V GS = 0V
C rss
5
0
0.1
0.5
1
2
5
10
25
0
0.4
0.8 1.2
Q g , GATE CHARGE (nC)
1.6
2
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
5
5
Figure 8. Capacitance Characteristics .
LIM
N)
(O
RD
1m 0μs
ms
0m
1
0.3
0.1
S
IT
V GS = 4.5V
DC
1s
10
10
s
10
s
4
3
2
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
0.03
SINGLE PULSE
R θ JA = See note 1b
T A = 25°C
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
FDC6321C.RevB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6 |
| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6322 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel , Digital FET |
| FDC6322C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6322C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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