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参数资料
| 型号： | FDC6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA，460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6321CDKR |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
1.5
1.25
1
0.75
V GS = -4.5V
-3.5 -3.0
-2.7
-2.5
2.4
2.2
2
1.8
1.6
V GS = -2.0 V
-2.5
0.5
-2.0
1.4
-2.7
-3.0
1.2
-3.5
0.25
-1.5
1
-4.0
-4.5
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics .
5
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
I D = -0.5A
25°C
ID=-0.5A
1.4
1.2
1
0.8
V GS = -4.5V
4
3
2
1
125°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
-4.5
-5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature .
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-1
V DS = -5 V
T = -55°C
J
25°C
0.5
0.1
V GS = 0V
-0.75
-0.5
-0.25
125°C
0.01
0.001
T J = 125°C
25°C
-55°C
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
FDC6321C.RevB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6322 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel , Digital FET |
| FDC6322C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6322C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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