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参数资料
| 型号： | FDC6321C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 680mA，460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6321CDKR |
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
1.5
V GS = 4.5V
2.5
2
3.5
1.2
3.0
2.7
2.0
V GS = 2.0V
0.9
1.5
2.5
2.7
3.0
0.6
1
3.5
4.5
0.3
1.5
0
0
0.5
1
1.5
2
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
1.6
I D =0.5 A
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
ID= 0.5A
1.4
1.2
1
V GS = 4.5 V
1.6
1.2
0.8
125°C
0.8
0.4
25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.5
5
1
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-To-Source Voltage.
V DS = 5.0V
T J = -55°C
25°C
1
0.8
125°C
V GS = 0V
T J = 125°C
0.1
0.6
25°C
0.4
0.2
0
0.01
0.001
-55°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
FDC6321C.RevB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| FDC6321C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6322 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel , Digital FET |
| FDC6322C | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6322C_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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