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参数资料
| 型号： | FDFMA2P859T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2P859TDKR |
Electrical Characteristics T A = 25 °C unless otherwise noted
Notes:
1: R T JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R T JC is guaranteed by design while R T CA is determined by the
user's board design.
(a) MOSFET R T JA = 86 o C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5 ” x 1.5 ” x 0.062 ” thick PCB.
(b) MOSFET R T JA = 173 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.
(c) Schottky R T JA = 86 o C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5 ” x 1.5 ” x 0.062 ” thick PCB.
(d) Schottky R T JA = 140 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.
a)86 o C/W when
mounted on a 1
in 2 pad of 2 oz
copper.
b)173 o C/W when
mounted on a
minimum pad of 2
oz copper.
c)86 o C/W when
mounted on a 1
in 2 pad of 2 oz
copper.
d)140 o C/W when
mounted on a
minimum pad of 2
oz copper.
2: Pulse Test: Pulse Width < 300 P s, Duty cycle < 2.0%.
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFMA2P859T Rev.B
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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