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参数资料
| 型号： | FDFMA2P859T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2P859TDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.1
0.01
t 1
t 2
R T JA = 173 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z T JA x R T JA + T A
10
10
10
10
0.01
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Junction to Ambient Transient Thermal Response Curve
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFMA2P859T Rev.B
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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