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参数资料
| 型号： | FDFMA2P859T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2P859TDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
700
I D = -3.0 A
600
4
V DD = -5 V
500
C iss
3
2
V DD = -10 V
V DD = -15 V
400
300
1
0
200
100
0
C rss
C oss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
100 us
1 ms
1
10 ms
THIS AREA IS
10
1
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 125 o C
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100 ms
1s
0.1
T J = 25 o C
T J = MAX RATED
R T JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
50
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10000
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 10. Schottky Diode Foward Voltage
200
1000
100
T J = 125 o C
T J = 85 o C
100
V GS = -10 V
10
1
T J = 25 o C
10
SINGLE PULSE
R T JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
0.1
1
10
10
10
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 11. Schottky Diode Reverse Current
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFMA2P859T Rev.B
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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