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参数资料
| 型号： | FDG6318PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 780 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.62nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85.4pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristic
1.2
T A = 25°C unless otherwise noted
0.6
1.0
V GS = -4.5V
0.8
0.4
0.6
V GS = -2.5V
0.4
0.2
0
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
T A , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
NOTES:
t 2
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
0.01
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
20
10
1
V GS = -4.5V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 - T A
I = I 25
125
V GS = -2.5V
0.4
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG6318PZ Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6318P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6322C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6332C_F085 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6320C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6320C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:25V 1/2 BR N/P 4/10 O SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6321 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel Digital FET |
| FDG6321C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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