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参数资料
| 型号： | FDMA1027P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1027PDKR |
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
' BV DSS
' T J
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage,
V GS = 0V, I D = -250 P A
I D = -250 P A,
Referenced to 25°C
V DS = -16V, V GS = 0V
V GS = r 8V, V DS = 0V
-20
-
-
-
-
-12
-
-
-
-
-1
r 100
V
mV/°C
P A
nA
On Characteristics (Note 2)
V GS(th)
' V GS(th)
' T J
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V DS = V GS , I D = -250 P A
I D = -250 P A,
Referenced to 25°C
-0.4
-
-0.7
2
-1. 3
-
V
mV/°C
V GS = -4.5V, I D = -3.0A
V GS = -2.5V, I D = -2.5A
-
-
90
120
120
160
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = -1.8V, I D = -1.0A
-
172
240
m :
V GS = -4.5V, I D = -3.0A
T J = 125°C
-
118
160
I D(on)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = -4.5V, V DS = -5V
V DS = -5V, I D = -3.0A
-20
-
-
7
-
-
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -10V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
-
-
-
435
80
45
-
-
-
pF
pF
pF
Switching Characteristics (Note 2)
t d(on)
Turn-On Delay Time
-
9
18
ns
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -10V, I D = -1A
V GS = -4.5V, R GEN = 6 :
V DS = -10V, I D = -3.0A,
V GS = -4.5V
-
-
-
-
-
-
11
15
6
4
0.8
0.9
19
27
12
6
-
-
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
-
-
-1.1
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
V GS = 0V, I S = -1.1 A (Note 2)
I F = -3.0A, dI F /dt=100A/ P s
-
-
-
-0.8
17
6
-1.2
-
-
V
ns
nC
2
FDMA1027P Rev. D 5
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