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参数资料
| 型号： | FDMA1027P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1027PDKR |
Typical Characteristics
6
3
V GS = -4.5V
-2.5V
V GS = -1.5V
5
-3.5V
-3.0V
-2.0V
2.6
4
-1.8V
2.2
3
1.8
-1.8V
-2.0V
2
1.4
-2.5V
1
-1.5V
1
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0
0.6
0
0.5
1 1.5 2
2.5
0
1
2 3 4
5
6
1.4
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D = -3.0A
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.28
1.3
V GS = -4.5V
I D = -1.5A
0.22
1.2
T A = 25 C
1.1
1
0.9
0.8
0.16
0.1
0.04
o
T A = 125 o C
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
0
2 4 6 8
10
6
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
V DS = -5V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
10
V GS = 0V
1
4
0.1
3
T A = 125 o C
-55 C
2
1
T A = 125 o C
o
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
25 o C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
4
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDMA1027P Rev. D 5
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